Az SK Hynix közzétett néhány információt a DDR5-ről

A DDR5 azt ígéri, megduplázza a DDR4-es sávszélességét. A kész terméknek eredetileg tavalyi bejelentést terveztek, de hivatalosan eltolták a bemutatót. A DDR5-el ellátott egységek valamikor ez év vége felé várhatóak.

DongKyun KIM - Hynix Chip fejlesztő a szerdai ISSCC ( International Solid-State Circuits Conference) konferencián egy olyan Hynix DDR5-ös chip-ről beszélt, ami  16 GB-os tüskénként 6.4 GB/S SDRAM kapacitással bír, 1.1 V-on fut és méreteit tekintve mindössze 76.22mm2. Az eszköz egy 1ynm ( 14 és 16 nanométer közötti) 4-metal DRAM processz-ben helyezkedik el.

Kim kifejtette a módosított DLL implementációját. Egy különleges fázis rotátor és egy befecskendezett, zárolt oszcillátor használatával érte el az órajel-működési ciklus torzulásának csökkentését, ezáltal magasabb órajelszámon működhet.

A Hynix tervezőcsoport által alkalmazott egyéb technikákról is mesélt például az „írásszintű tanuló metódusról” a nagyobb sebességű órajel-tartományok leküzdésére és egy módosított speciális „előre-visszacsatolás kiegyelítő” (FFE) áramkörről. 

A Samsung eközben már bemutatta a 10 nanométer-szintű LPDDR5 SDRAM kapacitású 7.5Gb/s-os 1.05V-on futó Chipjét.

Jedec a héten korábban bejelentette az LPDDR5 szabványt, amely végül 6400MT/s sebességgel operál, 50%-al magasabb, az LPDDR4-es első verziójához képest. Ez várhatóan meg fogja növelni a memória sebességet és a hatákonyságot az olyan alkalmazások számára, amiket az okostelefonok, tabletek és ulta-vékony notebook-ok futtatnak.